供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及工业材料 产品名称： 金及金基合金溅射靶材 牌号规格： Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4 用途备注： 金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。 产 品 详 情 高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED）， 民用微波通信器件， 、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。 化学成分 序号 合金牌号 主成分 Au Ge Ni Ga Be 1 Au1 ≥99.99 2 Au01 ≥99.999 —— —— —— —— 3 Au88Ge 88±0.5 余量 —— —— —— 4 Au83.5GeNi 83.5±0.5 余量 5±0.4 备注：可按客户要求提供其它成分的产品。 外形尺寸(mm) 合金牌号 形状 规格 允许偏差 厚度 允许偏差 Au1、Au01 圆形 100-250 ±0.1 3～6 ±0.2 方形 127×381 ±1 3～6 ±0.2 AuGe12、Au83.5GeNi、 圆形 100-250 ±0.3 6 ±0.5 方形 127×381 ±1 6 ±0.5 备注：可供其它规格和允许偏差的产品。