三硒化二铟(In2Se3)(可作技术对接)
核心技术:CVD 化学气相沉积。(自制冷却装置防止硒蒸汽压过大而产生炸裂),该产品用于喷涂或者印刷工艺制备CIGS薄膜,亦可取代有毒的N 型 。
1,物理性质:
原子量:193.508
变形的NaCl结构,黑色,暗淡油脂光泽,易碎。
熔点:660℃
密度:5.55 g/cm³
2,规格:
化学纯度:
高纯硒化铟:InSe-05纯度99.999%以上,银,铝,镉,铜,铁,镁,镍,铝杂质总含量小于10ppm.
3,物理性状:质软黑色块或粉。
4,用途:主要用作半导体,光导材料,光,电传感器件, CDS的替代材料。
5,包装:聚乙烯瓶封装。