各种靶材用于磁控溅射工艺制备CIGS薄膜
一,四元合金靶材:CIGS 靶材
1,常规原子比:1:0.7:0.3:2或者 1:0.8:0.2:2(客户亦可根据自身工艺制订原子比例)
技术对接:CVD合成四元合金(高精分析天平称量,各种元素的配比公差低于百万分之一)--氮气保护下研磨制粉–HP(热压)--检验—打磨,抛光。
2,检验:ICP-MS;XRD
通过ICP-MS 检测杂质含量:5N的CIGS 靶材的杂质元素总和小于10ppm.
通过XRD衍射:CIGS 具备闪锌黄铜矿结构。(可提供检验报告(见下)和样品)。
3,靶材致密度:大于93%。
4,服务:可免费提供导电玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客户最后的硒化工艺,因为磁控溅射CIGS的过程中有硒的流失。
5, 防护措施:提供MSDS及溅射过程中的必要防护。
二,三硒化二铟(In2Se3)靶材;三硒化二 (Ga2Se3)靶材,硒化亚铜(Cu2Se),或者硒化铜(CuSe)靶材
技术对接:CVD 合成二元合金–HP(热压)--检验—打磨,抛光。
三,铜 (CuGa);铜铟(CuIn);铜 铟(CuGaIn)靶材
*配方原子比例:客户可自选,我方亦可以提供常规原子比例。
四,铜(Cu)靶;铟(In)靶,硒(Se)靶
技术对接:浇铸
五,CIGS 配套靶材
N型: (CDS)靶,硫化锌(ZnS)靶, (ZnSe)靶。
氧化锌铝(AZO)靶,钼(Mo)靶
1,由于 有毒,所以硫化锌, 靶为其替代品。试验表明硒化铟也有此属性。
2, ,硫化锌, 制备工艺:CVD 高纯氩气携带金属蒸汽(镉,锌蒸汽)进入反应室与过量的H2S,H2Se 气体气相沉积而成。
Element 元素 | Guarantee Value(max) 保证值 | Element 元素 | Guarantee Value(max) 保证值 | Element 元素 | Guarantee Value(max) 保证值 | |
Cu | / | Au | 0.5ppm | Tl | / | |
Ag | 0.5ppm | Ca | / | Se | / | |
Mg | 0.4ppm | Fe | 0.5ppm | Pb | 0.8ppm | |
Sb | 0.4ppm | Cd | 0.4ppm | Sn | 0.5ppm | |
Ni | 0.5ppm | Cr | / | Na | / | |
Zn | 0.5ppm | As | 1.0ppm | |||
Bi | 0.3ppm | Si | 1.0ppm |