高纯氧化铟,三氧化二铟(In2O3)99.999%
1,技术对接:气相沉积CVD—采用高频加热,高纯氩气携带铟蒸气进入反应室与过量的氧气O2,气相沉积而成。
2,纯度:99.999%or 5N.
3,检验:GDMS;XRD(请见检验单)
注:所有的杂质元素(包括过渡元素,稀土元素)都低于1ppm
4,包装:三层真空包装或者充氮气保护。
5,用途:主要用于红外光纤;透明电极和电子元件材料。
6,服务:提供MSDS 及其防护措施,免费样品。
7,交期:7-10天/10Kgs.