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特征

 

Si-PIN和InGaAs-PIN光电二极管

 

波长范围为320至1700 nm

 

超宽带宽，从10 kHz到2 GHz

 

ZUI大转换增益4.75 x 103 V / W.

 

ZUI小NEP 11 pW /√Hz

 

GHZ技术

 

通过将 的光电二极管与经过验证的出色的FEMTO GHz放大器技术相结合，我们设计了一系列具有 性能的新型光电接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的带宽上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管，光谱范围分别为320至1000nm和900至1700nm。 由于采用 的放大器设计， NEP仅为11pW√Hz，互阻抗为5 x 103 V / A. 这允许以GHz速度测量μW范围内的光功率水平。

 

应用

 

光谱

 

快速脉冲和瞬态测量

 

光学触发

 

用于示波器和A / D转换器的光学前端（O / E转换器）

 

产品参数：

Model

HSA-X-S-1G4-SI

HSPR-X-I-1G4-SI

inverting

HSA-X-S-2G-IN

HSPR-X-I-2G-IN

inverting

Photodiode

Ø 0.4 mm Si-PIN

Ø 0.4 mm Si-PIN

Ø 0.1 mm InGaAs-PIN

Ø 0.1 mm InGaAs-PIN

Spectral Range

320 ... 1000 nm

320 ... 1000 nm

900 ... 1700 nm

900 ... 1700 nm

Bandwidth (？3 dB)

10 kHz ... 1.4 GHz

10 kHz ... 1.4 GHz

10 kHz ... 2 GHz

10 kHz ... 2 GHz

Rise/Fall Time

(10 % - 90 %)

250 ps

250 ps

180 ps

180 ps

Transimpedance Gain

5 x 103 V/A

5 x 103 V/A

inverting

5 x 103 V/A

5 x 103 V/A

inverting

Conversion Gain

2.55 x 103 V/W

(@ 760 nm)

2.55 x 103 V/W

(@ 760 nm)

4.75 x 103 V/W

(@ 1550 nm)

4.75 x 103 V/W

(@ 1550 nm)

NEP (@ 100 MHz)

32 pW/√Hz

(@ 760 nm)

19 pW/√Hz

(@ 760 nm)

16 pW/√Hz

(@ 1550 nm)

11 pW/√Hz

(@ 1550 nm)

Output VSWR

2.5 : 1

1.4 : 1

2.5 : 1

1.4 : 1

Maximum Output Voltage @ 50 Ω

1.9 VPP

2.0 VPP

1.9 VPP

2.0 VPP

Output Noise

3.6 mVRMS

2.5 mVRMS

3.6 mVRMS

2.5 mVRMS

Available Input Options

Free space (FS) or FC

Free space (FS) or FC

Free space (FS) or FC

Free space (FS) or FC