深圳市猎芯科技有限公司
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| 订货量（件） | 20-199 | 200-599 | ≥600 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 价格（元/件） | 面议 | ||||
| 供货总量： | 341907件 |
|---|---|
| 产 地： | 广东省/深圳市 |
| 发货期： | 自买家付款之日起7天内发货 |
| 结构形式 | NPN | 结构工艺 | 合金管 |
|---|---|---|---|
| 安装方式 | 贴片 | 材料 | 锗管 |
| 封装形式 | 金属封装 | 工作状态 | 截止 |
| 型号 | MMBT5551LT1G | 商标 | ON |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 类别 | 分立半导体产品, 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 |
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极截止 | 100nA |
| 电压 - 集射极击穿 | 160V | 电流 - 集电极（Ic） | 600mA |
| 功率 - 最大值 | 225mW | 产量 | 341907件 |
库存：341907
起订量：20
最小包装量：1
商品型号：MMBT5551LT1G
制造商：ON
类别：分立半导体产品, 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
功率 - 最大值：225mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
零件状态：在售
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：160V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V
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