深圳瑞天微科技有限公司
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| 是否有现货 | 是 | 认证 | 3000 |
|---|---|---|---|
| 品牌 | 瑞天微 | 类型 | 增强型MOS管(P沟道) |
| 材料 | GE-P-FET锗P沟道 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 用途 | L/功率放大 | 导电方式 | 增强型 |
| 型号 | si2301 | 工作温度 | 55-150 |
| 功耗 | 1.25w | 电流 | 2.3A |
| 产量 | 4000000件 |
晶体管类型：P沟道MOSFET最大功耗PD：1.25W栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）漏源电压VDS：－20V（极限值）漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）栅极漏电流IGSS：±100nA结温：55℃to+150℃封装：SOT-23(TO-236)用作电源管理电池保护、负载开头等(VGS-4.5V,ID-2.8A)用途
苏公网安备 32011202000136号 
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