认证 | Itf16949 | 种类 | 交流 |
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相数 | 3 | 驱动方式 | 电磁式 |
动作方式 | 转动式 | 型号 | 3535 |
规格 | 3535 | 商标 | 斯利通 |
包装 | 真空包装 | 表面处理 | 沉银、沉银、陈镍金 |
基材 | 陶瓷基 | 金属层 | 铜 |
产量 | 999999件 |
斯利通陶瓷电路板产品用途 陶瓷电路板拥有良好的热学和电学性能,是功率型LED封装的良好材料,特别适用于多芯片(MCM)和基板直接键合芯片(COB)等的封装结构;同时也可以作为其他大功率电力半导体模块的散热电路基板。
散热效陶瓷基板:提升散热效率满足高功率需求
以PPA(聚邻苯二甲酰胺)树脂为原料的贴片式基板,通过添加改性填料来增强PPA原料的某些物理、化学性质,从而使PPA材料适合注塑成型及贴片式基板的使用。PPA塑料导热性能很低,其散热主要通过金属引线框架进行,散热能力有限,只适用于小功率封装。 金属本身的导热系数良好,但是要做到电热分离,仍需要再导入一个绝缘层来。由于绝缘层的热导率极差,此时热量虽然没有集中在芯片上,但是却集中在芯片下的绝缘层附近,一旦做高功率,散热的问题就会浮现。同时由于绝缘层的关系,使得金属基板无法承受高温焊接,同时也限制了封装结构的优化,不利于散热。且由于金属本身成本的问题,金属基板明显与市场发展方向是不匹配的。
陶瓷凭借本身材料的特性,有效的弥补了金属基板所具有的缺陷,从而改善基板的整体散热效果。Al2O3陶瓷覆铜板虽是目前产量多、应用广的陶瓷覆铜板,但由于其热膨胀系数相对Si单晶偏高,导致Al2O3陶瓷覆铜板并不太适合在高频、大功率、超大规模集成电路中使用。目前AlN被认为是新一代半导体基板和封装的理想材料。
AlN陶瓷材料从20世纪90年代开始得到广泛地研究而逐步发展起来,是目前普遍认为很有发展前景的电子陶瓷封装材料。AlN陶瓷覆铜板的散热效率是Al2O3的7倍之多,AlN应用于高功率的散热效益显着,进而大幅提升的使用寿命。AlN陶瓷覆铜板的缺点是即使表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生较大影响,只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的AlN陶瓷覆铜板。斯利通陶瓷覆铜板,每一道工序都严格把控,值得信任。
斯利通陶瓷覆铜板使用DPC工艺(直接镀铜),利用薄膜制造技术——真空镀膜方式于陶瓷上溅镀结合于铜金属复合层,使铜与陶瓷有着 结合力,接着以黄光微影之光阻被复曝光、显影、蚀刻、去膜工艺完成线路制作,最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度,待光阻移除后即完成金属化线路制作。DPC产品具备线路 度高与表面平整度高的特性,非常适用于覆晶/共晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显着提升了散热效率,是适合高功率、小尺寸发展需求的陶瓷散热基板。
DPC陶瓷覆铜板符合高密度、高精度和高可靠性的未来发展方向,对于制造商们来说,它是一种可行的选择。斯利通将继续努力打造品质陶瓷覆铜板产品,为客户提供满意的产品和服务,实现与商户的合作互赢。