E1抗干扰开发系统包含SGZ21突发脉冲发生器，SGZ21能产生连续的类似于Burst或者ESD的干扰脉冲，脉冲的上升沿时间为2ns，下降沿时间为约10ns。这些脉冲包含的能量比2/50ns的Burst脉冲【根据EN61000-4-4】或ESD【根据EN61000-4-2】脉冲小，因此能在不损坏被测设备的情况下，把干扰直接耦合到电子模块内。由于SGZ21产生的脉冲，上升沿时间短，峰值电压也比较低，所以这些干扰对被测设备的影响，是和EN61000-4-4的Burst脉冲的影响类似的。E1抗干扰开发系统中SGZ21脉冲的幅度是连续变化的。峰值在0－1500V之间，是按统计平均分布的。利用这种方法，配合传感器能对模块进行特别快速的抗干扰性能评估（脉冲率测试法－见2.5节），为此，发生器内置了一个带光纤（2.2mm塑料光纤）输入的计数器。同时SGZ21采用电气隔离（无PE参考）的对称输出。干扰脉冲能被容性耦合，极性可变。这样，就能采用各种耦合方式，例如：－把发生器的输出直接连接到被测物的GND系统上，把干扰电流直接注入到GND系统。－把干扰电流注入到GND，然后从VCC返回。－干扰电流可以注入到变压器、分配器或者光耦的初级，从次级返回（在工作电压大于42V时，对SGZ21要有相应的保护）连接到发生器的场源，可以很好的定位被测设备的临界结构。E1抗干扰开发系统利用场源，把burst信号转换为很小区域的磁场或者电场，可以注入到被测设备内部很小的区域内，或者单根电缆上。从而准确定位被测设备内部电磁敏感点的位置。不同的电路结构，可能会对磁场敏感，也可能会对电场敏感。E1中的场源，有的是产生磁场的，有的是产生电场的，这样可以确认EUT是对哪种类型的干扰场敏感。场源和SGZ21的连接方法见图5。除了场源能产生干扰场之外，连接电缆也会把干扰耦合到EUT并影响测量结果。所以，电缆应该尽可能放置得离EUT远一些。