是否有现货 | 是 | 认证 | ISO9001 |
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结构形式 | NPN | 结构工艺 | 平面管 |
安装方式 | SMD/SMT | 材料 | 硅管 |
封装形式 | SOT-363 | 工作状态 | 187 mW |
型号 | MUN5234DW1T1G | 规格 | MUN5234DW1T1G |
商标 | ON/安森美 | 包装 | 标准卷带 |
- 55 C | + 150 C | 产量 | 5000000个 |
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MUN5234DW1T1G |
批号: | 20+ |
封装: | SOT-363 |
数量: | 81000 |
QQ: | 394524068 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 预偏置 |
RoHS: | 是 |
配置: | Dual |
晶体管极性: | NPN |
典型输入电阻器: | 22 kOhms |
典型电阻器比率: | 0.47 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-363-6 |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 80 |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 50 V |
集电极连续电流: | 0.1 A |
峰值直流集电极电流: | 100 mA |
Pd-功率耗散: | 187 mW |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
系列: | MUN5234DW1 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
直流电流增益 hFE 最大值: | 80 at 5 mA at 10 V |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2 mm |
宽度: | 1.25 mm |
商标: | ON Semiconductor |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 12 mg |