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| 是否有现货 | 是 | 认证 | ios9001 |
|---|---|---|---|
| 封装 | PowerDI3333-8 | 功能结构 | 分立半导体 |
| 制作工艺 | 半导体集成电路 | 导电类型 | 其它 |
| 外形 | 扁平型 | 集成度高低 | 为小规模集成电路 |
| 应用领域 | 标准通用 | 型号 | DMP3013SFV-7 |
| 规格 | DMP3013SFV-7 | 商标 | DIODES/美台 |
| 包装 | 标准卷带 | - 55 C | + 150 C |
| 产量 | 5000000个 |
| 品牌： | DIODES/美台 |
| 型号： | DMP3013SFV-7 |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | PowerDI3333-8 |
| 数量： | 78000 |
| QQ： | 394524068 |
| 描述： | MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 22 周 |
| 详细描述： | 表面贴装型-P-通道-30V-12A（Ta）-35A（Tc）-940mW（Ta）-PowerDI3333-8（UX-类） |
| 数据列表： | DMP3013SFV; |
| 标准包装： | 2,000 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | - |
| 其它名称： | DMP3013SFV-7-ND |
| FET 类型： | P 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 12A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On， Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 9.5 毫欧 @ 11.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 33.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值）： | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1674pF @ 15V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（最大值）： | 940mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | PowerDI3333-8（UX 类） |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
苏公网安备 32011202000136号 
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