主要应用/Application广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流，高压场合。WidelyusedinGTOsnubber，highcurentandhighvoltageapplication.产品特点/Characteristics电介质：聚丙烯薄膜结构：金属化膜内串结构封装：外包阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装引出：M6或M8铜螺母引出能承受大电流，高电压低损耗、高稳定具有自愈性Dielectric：PolypropylenefilmConstruction：MetalizedfilminternalseriesconnectionCoating：Polyestertapewrappingwithresinsealing.Flameretardantexecution（UL94V-0）Terminals：Coppernutleads，threadedinsertM5,M6orM8Highcurent，highvoltageLowloses，highstabilitySelfhealing技术性能/Specifications引用标准/ReferencestandardsGB/T17702IEC61071工作温度范围/Operatingtemperaturerange-40℃～85℃容量范围/Capacitance0.33μF～3.0μF额定电压/RatedVoltage4000Vdc～10000Vdc容量偏差/Tolerance±5%±10%极间耐电压/Testvoltagebetweenterminals1.5Ur（Vdc）10s25℃±5℃极壳耐电压/Testvoltagebetweenterminalsandcase3000V50Hz60s，25℃±5℃损耗角正切/Disipationfactortgδ≤8×10-4at25℃±5℃，1kHz绝缘电阻/InsulationresistanceC×R≥30000s，at100Vdc，25℃±5℃，60s预期寿命/Lifeexpectancy20hatUrand70℃此产品关键字：IGBT吸收电容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收电容厂家、IGBT吸收电容价格华裕电容- 金属化薄膜电容专业制造商