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现货SKKT213/14E SKKT162/16E西门康晶闸管二极管模块 一单元可控硅
供货总量:4200个 | 是否有现货:是
描述: 西门康SEMIKRON晶闸管二极管模块一单元可控硅产品型号参数说明封装形式SKET330300A,800-2200VSEMIPACKSKET400400A,800-1800VSEMIPACKSKET740740A,1800-2200VSEMIPACKSK......
2021-07-12
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SKAI100E/U SKHI21A 西门康SEMIKRON驱动板
供货总量:2100个 | 是否有现货:是
描述: 供应:西门康SEMIKRON驱动板产品型号SKHI21ASKHI22A/B(H4)SKHI24SKHI61(71)SKHI10/12(17)SKHI23/12(17)SKAI100E/USKYPER52RSKYPER42RSKYPER32RSKYPER3......
2021-07-12
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现货MMF300S120B MM15FU120K宏微 肖特基快恢复二极管模块
供货总量:1200个 | 是否有现货:是
描述: 注意:采购为型号为准,请新老客户跟我公司,客服确定好现货在下单。供应:宏微肖特基快恢复二极管模块产品型号参数说明MM8F060K8A/600V,TO-220MM8FU060K8A/600V,TO-220MM10FU120K10A/1200V,TO-220......
2021-07-12
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西门子熔断器3NE1436-0 熔断器3NE1020-2 熔断器3NE1437-0
供货总量:6300个 | 是否有现货:是
描述: 西门子熔断器3NE8024-1电流:160A/电压:690V西门子熔断器3NE4327-0B电流:250A/电压:800V西门子熔断器3NE4330-0B电流:315A/电压:800V西门子熔断器3NE4333-0B电流:450A/电压:800V西门子熔......
2021-07-12
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赛米控IGBT模块SEMiX453GD12Vc SEMiX453GAL17E4s SEMiX453GB17E4Ip SEMiX453GB17E4s
供货总量:2222个 | 是否有现货:是
描述: 赛米控IGBT模块赛米控在SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP中提供的IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管),在拓扑结构、额定电流和电压方面均不同。电流范围从4A到1700A,电压等级从600V到1700V。IGBT模......
2021-07-12
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现货CM1000DUC-34NF CM1400DUC-24NF三菱IGBT模块
供货总量:3200个 | 是否有现货:是
描述: 供应:三菱IGBT模块第五代MPD系列 的CSTBTTM硅片技术带来:杰出的短路鲁棒性-降低了栅极电容-低VCE(sat)Vs.Eoff新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗 低,实现 可靠的长期电气连接端子孔径与安装定位孔径一致不同高......
2021-07-12
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现货 MMF400D170B2B MMF200N120DA6B宏微快恢复二极管模块
供货总量:730个 | 是否有现货:否
描述: 注意:采购为型号为准,请新老客户跟我公司,客服确定好现货在下单。宏微快恢复二极管模块MMF200Y060DK16002×100MMF250Y060DK16002×125MMF300Y040DK1B4002×150MMF......
2021-07-12
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赛米控IGBT模块SEMiX653GAR176HDs SEMiX703GAL126HDs SEMiX703GB126HDs SEMiX653GD176HDc
供货总量:2222个 | 是否有现货:是
描述: 赛米控IGBT模块赛米控在SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP中提供的IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管),在拓扑结构、额定电流和电压方面均不同。电流范围从4A到1700A,电压等级从600V到1700V。IGBT模......
2021-07-12
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赛米控IGBT模块SEMiX501D17Fs SEMiX341D16s SEMiX251D12Fs SEMiX241DH16s
供货总量:2222个 | 是否有现货:是
描述: 赛米控IGBT模块赛米控在SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP中提供的IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管),在拓扑结构、额定电流和电压方面均不同。电流范围从4A到1700A,电压等级从600V到1700V。IGBT模......
2021-07-12
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现货CM75TX-34S CM100TX-24S三菱IGBT模块
供货总量:3200个 | 是否有现货:是
描述: 供应:三菱IGBT模块第六代NX系列采用 代IGBT硅片技术,损耗低二极管采用 代LPT硅片技术,正向导通压降低硅片结温可高达175°C硅片运行温度最高可达150°C内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制产品型......
2021-07-12
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