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型号:99.99%-99.9999% | 规格:颗粒,粉末,块,锭
描述: 碲(Te)Tellurium 技术工艺:焙烧——电解——鋳型—— 化——真空蒸馏——区熔,可提供技术对接 检验:ICP......
2017-09-25
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型号:4N | 规格:靶材
描述: 各种靶材用于磁控溅射工艺制备CIGS薄膜 一,四元合金靶材:CIGS 靶材 1,常规原子比:1:0.7:0.3:2或者 1:0.8:0.2:2(客户亦可根据自身工艺制订原子比例) 技术对接:CVD合成四元合金(高精分析天平称量,各种......
2017-09-25
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99.99%-99.9999% (CdTe)粉末,颗粒,靶材
型号:4N-6N | 规格:高纯
描述: (CdTe) 技术对接:THM 移动式加热合成工艺( 于CVD化学气相沉积工艺) 检验:ICP-MS;激光粒度分析仪,扫描电镜。 服务:提供实用的防护措施,提供材料应用解决方案。 (特别是CSS,VTD升华工艺制备碲化......
2017-09-25
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供货总量:5000千克 | 颗粒:0.5-2mm; 0.8-1.2mm
描述: 碲丸 4N 用途:用于精密铸件,或特殊钢材的添加剂,检测仪器,样杯等(用于检测钢水中分的Si,C 含量)。 核心技术:氮气氛保护下制丸,不需要甘油或者纯水冷却 规格:客户可根据工艺自定。 常规:直径0.5-2mm 检验:......
2017-09-25
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型号:5N-7N | 规格:高纯
描述: 铅(Pb)Leads 技术对接:0#铅--电解——氯化---精馏---还原---提拉法提纯; 检验:ICP-MS,GDMS,激光粒度分析仪。 服务:提供免费样品,MSDS及实用的防护措施。 物理性质: ......
2017-09-25
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99.99%三硒化二铟In2Se3,三硫化二铟In2S3 粉末
型号:4N-5N | 规格:高纯
描述: 三硒化二铟(In2Se3)(可作技术对接) 核心技术:CVD 化学气相沉积。(自制冷却装置防止硒蒸汽压过大而产生炸裂),该产品用于喷涂或者印刷工艺制备CIGS薄膜,亦可取代有毒的N 型 。 1,物理性质: 原子量:193......
2017-09-25
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描述: 三硒化二铋(Bi2Se3) 服务:提供样品供客户检测,提供MSDS及实用的防护措施。 1,物理性质: 原子量:654.84 黑色或深兰色固体,具有半导体特性。 熔点:710℃ 密度:6.82 g/cm3. ......
2017-09-25
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描述: 高纯氧化铟,三氧化二铟(In2O3)99.999% 1,技术对接:气相沉积CVD—采用高频加热,高纯氩气携带铟蒸气进入反应室与过量的氧气O2,气相沉积而成。 2,纯度:99.999%or 5N. 3,检验:GDM......
2017-09-25
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描述: 高纯碲化铅 PbTe 99.999% 1,技术对接:气相合成CVD—特制的石英装置,高精分析太平称量,按MOL 比1:1配料, 采用高频振荡加热,石英装置上由冷却循环水,防止蒸汽压过大而产生炸裂。 注:可掺 ,锌等,用于......
2017-09-25
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粉末:纳米级
描述: 铜铟 CuIn 铜 CuGa 合金粉末(纳米粉末) 1,技术对接:二元合金工艺,高精分析天平称量配料(两种元素的配比公差低于万分之一),请见THM 合金工艺。(移动式加热) 2,纯度:99.99%or 99.999% 3,......
2017-09-25
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